米国のインテリ、もといインテルが韓国サムスンとSKハイニックスからシェアをごっそり奪う計画を立て始めたという。サムスンのホームグラウンドである韓国ソウルで初めて次世代メモリーの市場戦略を発表したそうだ。DRAMとSSDのいいとこ取りをしたDCPMという新たな製品を開発し、NANDの100倍の処理速度を実現させるそうだ。サムスンが世界から不要な存在として認識される象徴的なイベントとなったようだ。
韓経:「メモリー半導体の枠を崩す」というインテル…サムスン・ハイニックス「牙城」に挑戦状
9/27(金) 14:50配信 中央日報日本語版世界1位の非メモリー半導体企業インテルがメモリー半導体世界最強国の韓国で次世代メモリー半導体戦略を発表した。世界1位のメモリー半導体企業のサムスン電子と2位のSKハイニックスの「ホーム」で宣戦布告をしたのだ。
インテルは26日、ソウルJWマリオット東大門(トンデムン)スクエアでグローバルメディアを対象に「メモリー&ストレージデー2019」を開催し、データセンター用メモリー「Optane(Optane)」のラインナップとメモリー市場戦略を発表した。韓国でこの行事を開いたのは初めて。
インテルのロブ・クローク上席副社長は「第2世代インテルOptane DC Persistent Memory(DCPM)を米ニューメキシコ州リオランチョ工場で生産し、来年発売する計画」と明らかにした。OptaneメモリーはDRAMより価格が安く、電源が切れても情報が消えずに残るのが特徴だ。
インテルはこの日、業界で初めてDCソリッドステートドライブ(SSD)用114層QLC(4ビット単位でデータ保存)NAND製品も公開した。これはサムスン電子、SKハイニックスの128層NANDより集積化された製品。
「中央処理装置(CPU)の強者としてメモリーと非メモリーを結合し、いくつかの領域で新しい機会を創出する」。クローク上席副社長兼非揮発性メモリーソリューショングループ総括が26日の「インテルメモリー&ストレージデー2019」で明らかにしたインテルの戦略だ。韓国で初めて開催されたこの日の行事ではインテルの強い意志が感じられた。米インテル本社からメモリー関連技術の多数の役員が出席したほどだ。
インテルはメモリー事業に復帰したのに続き、この日は次世代メモリー事業戦略を発表した。メモリー半導体強者のサムスン電子とSKハイニックスを狙った。
・・・https://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20190927-00000026-cnippou-kr
韓国のせいで世界は10年停滞した
DRAMとNANDのいいとこ取り
◆NANDより100倍速いメモリー
インテルは2017年、「データ中心企業」への変身を宣言した後、「選択と集中」戦略を選択した。1985年に電撃的に放棄したメモリー事業を再開したのもこの時期だ。一方、スマートフォン用第5世代(5G)モデムチップ事業は7月にアップルに売却した。データセンター事業とは違って顧客群を拡張するのが難しく、未来の成長にも限界があると判断したからだ。
半導体業界で見通しがそれほど明るくないと評価するメモリー分野に再び参入した理由は何か。クローク副社長は「メモリーとCPUは最高の結果を引き出すためには切り離せない関係」とし「CPUの潜在性を最大化するためにメモリー開発に入った」と説明した。
インテルは今年4月、その最初の製品としてOptane DC Persistent Memory(DCPM)を発売した。サムスン電子とSKハイニックスが掌握しているDRAMとNAND型フラッシュメモリーの強みを結びつけた完全に新しい形態のメモリー半導体だ。第4次産業革命時代を迎え、データセンターはより多くの量のデータを迅速に処理しなければならない。従来の半導体のデータ処理構造では限界があるとインテルは判断した。
インテルのクリスティ・マンDCグループ製品管理担当シニアディレクターは「世界のデータの半分が過去2年間に生じたが、我々はこのうち2%だけを活用している」とし「インテルの目標は顧客がデータをさらに効率的に迅速に処理できるよう支援すること」と述べた。
CPUを生産するインテルはCPUだけでなくメモリー処理構造自体を変えてこそ革新が起こると判断した。従来のデータセンター(DC)では▼HDD(ハードディスクドライブ)▼SSD(ソリッドステートドライブ)▼NAND型フラッシュメモリー▼DRAM▼キャッシュ▼CPUの順序でデータを処理する。
データを永久に保存する装置はCPUと遠く離れているSSDとHDDだ。DRAMは情報処理速度が速いが「揮発性メモリー」であるため電源が切れれば保存されていたデータが消える。
問題はSSDとHDDに保存されたデータを呼び出すのに時間がかかるという点だ。インテルがデータ処理速度を引き上げようとDRAMとSSDの間の新しい製品DCPMを開発することになった背景だ。NANDのように電源が切れてもデータが消えない製品だ。
その一方でデータ処理速度はNAND型フラッシュメモリーより100倍以上も速い。実際、この日の試演で他社のDRAMを適用したデータセンターの再起動は10分15秒もかかった。インテルのDCPMを適用したデータセンターは19秒で再起動した。
インテル® Optane™ DC パーシステント・メモリー
データにまつわる最大の課題に対応するメモリーの飛躍的な進化インテル® Optane™ DC パーシステント・メモリーは、画期的なテクノロジー・イノベーションです。1 2 3 4 次世代の第 2 世代インテル® Xeon® スケーラブル・プロセッサーで提供される、このワークロードに最適化したテクノロジーによって、クラウドやデータベースから、インメモリー分析、コンテンツ配信ネットワークまで、企業はデータからより実用的な洞察を引き出すことができるようになります。
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日米台で韓国勢を一掃するためにインテルには頑張ってほしい
Intel、DDR4互換の不揮発性メモリ「Optane DC Persistent Memory」を正式発表
~CPUソケットあたり最大4.5TBメモリ環境を実現、1Uで1PBの大容量SSDも
2019年4月3日 02:00・・・
現在のPCやPCサーバーのメモリやストレージは、階層型になっている。一番プロセッサに近いところに、もっともプロセッサの速度に近いSRAMを利用したキャッシュ(L1、L2、LLCなど)があり、その次にDRAMを利用したメインメモリ、そしてフラッシュメモリを利用したSSDなどのストレージとなっている。
CPUがつねに使うデータは、キャッシュやメインメモリに置いて処理を行ない、何度も使わないデータはストレージに格納して使うというのが、今のコンピュータでは一般的な仕組みとなる。
これは、SRAMやDRAMは電源を切るとデータが消えてしまい(揮発性メモリ)、フラッシュメモリのような大容量化は実現が難しいが、より高速であるという特徴を備えており、フラッシュメモリやHDDなどは、CPUから見ると低速だが、電源を切ってもデータを保持する特性(不揮発性メモリ)を持っているという、それぞれの利点を活かすためにこうした階層構造になっているのだ。
だが、Intelが開発した3D XPointは、フラッシュメモリを超える、DRAMに近い低レイテンシ(CPUがデータを読み書きするまでの時間が短い)を実現しており、かつDRAMよりも大容量を低コストで実現でき、不揮発性メモリでもあるため、電源を切ってもデータは保持されるという特徴がある。
この3D XPointの特徴を活かして、メインメモリの代わりとして使うことで、大容量のメインメモリを、より低コストで実現するというコンセプトで作られたのがOptane DC Persistent Memoryだ。
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http://www.hpctech.co.jp/hardware/intel-optane-dc-persistent-memory.html